张昕彤
助理研究员所在系所：微纳工程科学研究中心
电子邮件：xzhangbk@sjtu.edu.cn
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教育背景
张昕彤，2010年本科毕业于山东大学应用物理系；2014年硕士毕业于北京大学物理电子所，师从纳米材料及器件专家陈清教授；2018年博士毕业于香港科技大学电子与计算机工程系，师从器件建模及系统研究领域专家Mansun Chan教授。2018-2022年在香港、深圳的传感芯片公司和研究院所工作，深圳市海外高层次人才。2022年10月入职上海交通大学。
研究方向
纳米材料新型器件及产业化应用研究
新型半导体器件的仿真、建模及系统研究
课题组招收硕士、博士和博士后，欢迎感兴趣的同学与我联系。
代表性论文专著
（1）Zhang X, Zhang L, Ahmed Z, et al. Origin of Nonideal Graphene-Silicon Schottky Junction [J].
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(5): 1995-2002.
（2）Zhang X, Zhang L, Chan M. Doping enhanced barrier lowering in graphene-silicon junctions [J].
Applied Physics Letters, 2016, 108(26): 263502.
（3）Zhang X, Fu M, Li X, et al. Study on the response of InAs nanowire transistors to H2O and NO2
[J]. Sensors and Actuators B: Chemical, 2015, 209: 456-461.
（4）Wang L, Sun Y, Zhang X, et al. Tunneling contact IGZO TFTs with reduced saturation voltages
[J]. Applied Physics Letters, 2017, 110(15): 152105.
（5）Zhang X, Zhang L, Wang L, et al. Current enhancement of graphene-inserted tunneling contact
IGZO TFT [C]// Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2018 International Conference
on. IEEE, 2018: 1-2.
（6）Zhang X, Zhang L, Chan M. Engineering of Graphene-to-Semiconductor Contacts [C]// Solid-
state and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2018 International Conference on. IEEE, Invited
talk.
软件版权登记及专利
（1）Zhang X, Zhou W, Ocak I E, et al. Cover for an infrared detector and a method of fabricating a
cover for an infrared detector: U.S. Patent Application 17/539,210[P]. 2023-3-16.
（2）Zhang X, Zhou W, Li He, et al. A cover for an infrared detector and its method of fabrication:
European Patent Application 22020586.8[P]. 2023-6-14.
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